串口SRAM和并口SRAM的引脚区别

首先来看一下并口和串口的区别：

引脚的区别：

  串口SRAM （或其它存储器）通常有如下的示意图：

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引脚只有SCK,CS#,SI,SO,HOLDB,VCC,VSS不到8个，一般遵循SPI协议，

并口SRAM引脚很多，串口SRAM引脚很少。
大部分SRAM是并口（parallel）操作的，也有少部分奇葩是串口协议的。并口的SRAM通常有如下的示意图：

引脚密密麻麻接近50个，包含地址、IO、使能信号、电源等。
其中地址通常和容量有关系，这里是1Mb的容量，地址有16个（A15-A0）;
其中IO通常是8的倍数，这里是16个（IO15-IO0）;
使能信号CE#，WE#，OE#，BHE#，BLE#，请原谅我用#代替上划线，上划线根本无法输入，MD；
电源信号：VCC/VSS.

电路分类的区别
并口SRAM是异步电路，没有时钟信号；
串口电路是同步电路，有时钟信号。

再来看看并口SRAM的应用场合。

并口SRAM通常速度都比较快，应用在很多高速场合，比如作为CPU的高速缓冲存储器（Cache），如下图所示：

SRAM 处于计算机存储器金字塔的最顶端，在速度上，SRAM>DRAM>NAND。因为SRAM的操作条件比较简单，就是简单的MOS管打开，相互fighting或者传输值的过程，用core电压就可以实现。而DRAM要产生3v左右的高压，NAND的操作电压就更高了。

在面积上，SRAM存储单元6个管子（6T），相对于DRAM的1T1C以及NAND的1T而言，又是最大的。所以在价格上也是SRAM>DRAM>NAND。

有时候SRAM也会作为寄存器的替代，因为SRAM存储单元（6个管子）面积相对于寄存器（DFF）要小不少，如果在设计中需要用到几百Byte，使用寄存器的面积可能比SRAM大上好几倍。

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