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DDRSDRAM内存发展历程-创新互联

DDR SDRAM是具有双倍数据传输率的SDRAM,其数据传输速度为系统时钟频率的两倍,由于速度增加,其传输性能优于传统的SDRAM。DDR SDRAM 在系统时钟的上升沿和下降沿都可以进行数据传输。 SDRAM 在一个时钟周期内只传输一次数据,它是在时钟上升期进行数据传输;而DDR则是一个时钟周期内可传输两次数据,也就是在时钟的上升期和下降期各传输一次数据。下面英尚微电子介绍DDR SDRAM内存发展历程。
 
(1) DDR SDRAM
 
DDR SDRAM双倍数据率同步动态随机存取存储器,它是SDR SDRAM的升级版,DDR SDRAM在时钟周期的上升沿与下降沿各传输一次信号,使得它的数据传输速度是 SDR SDRAM 的两倍,而且这样做还不会增加功耗,至于定址与控制信号与SDR SDRAM相同,仅在上升沿传输,这是对当时内存控制器的兼容性与性能做的折中。
 
DDR SDRAM采用184pin的DIMM插槽,防呆缺口从SDR SDRAM时的两个变成一个,常见工作电压2.5V,初代DDR内存的频率是200MHz,随后慢慢的诞生了DDR-266、DDR-333和那个时代主流的DDR-400,至于那些运行在500MHz,600MHz、700MHz的都算是超频条了,DDR内存刚出来的时候只有单通道,后来出现了支持双通芯片组,让内存的带宽直接翻倍,两根DDR-400内存组成双通道的话基本上可以满足FBS 800MHz的奔腾4处理器,容量则是从128MB到1GB。

 
(2) DDR2 SDRAM DDR2/DDR II SDRAM是由JEDEC进行开发的新生代内存技术标准,它与上一代DDR内存技术标准大的不同就是,虽然同是采用了在时钟的上升/下降沿同时进行数据传输的基本方式,但 DDR2SDRAM 内存却拥有两倍于上一代DDR内存预读取能力(即:4bit数据读预取)。换句话说,DDR2内存每个时钟能够以4倍外部总线的速度读/写数据,并且能够以内部控制总线4倍的速度运行。
 
DDR2的标准电压下降至1.8V,这使得它较上代产品更为节能,DDR2的频率从400MHz到1200MHz,当时的主流的是DDR2-800,更高频率其实都是超频条,容量从256MB起步大4GB,不过4GB的DDR2是很少的,在DDR2时代的末期大多是单条2GB的容量。
 
(3) DDR3 SDRAM DDR3提供了相较于DDR2 SDRAM更高的运行效能与更低的电压,是DDR2 SDRAM的后继者(增加至八倍),也是现时流行的内存产品规格。

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