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小白测评拿到了首发骁龙8G1的 moto edge X30 ，对此进行了测试比对，结果显然让人失望，骁龙8G1依然是发热界的扛把子。
小白测评对比了骁龙870、骁龙888+、苹果A15和骁龙8G1，在使用10分钟后测试的温度显示，骁龙8G1手机的正面温度和背面温度都达到了60度，背面温度比骁龙888+的62度低、正面温度则比骁龙888+的54度高，显示出骁龙8G1依然是手机芯片界的扛把子。
对比之下，高通芯片近近三代产品中，骁龙865系列依然是功耗表现最好的产品，骁龙865采用7nm工艺，而骁龙888采用了5nm工艺，骁龙8G1则采用了4nm工艺，更先进工艺却没能带来更好的功耗表现自然让人颇为失望。
高通芯片的功耗过高可能存在两点原因，一个是ARM的两代超大核心X1、X2的功耗实在太高。ARM的第一代64位高性能核心A57就曾出现严重的功耗过高问题，最终仅有高通的骁龙810采用了A57核心，而骁龙810也因功耗过高被手机企业纷纷放弃，这次ARM的第一代超大核心X1依然存在功耗过高的问题，而第二代超大核心X2的功耗依然过高就让人费解了。
其次就是三星的工艺不过关，此前digitimes以晶体管密度为参数，分析了Intel、三星和台积电的先进工艺制程，认为三星和台积电的7nm工艺才与Intel的10nm工艺相当，而在7nm工艺之后三家芯片制造企业又再次出现分差。
digitimes认为就晶体管密度而言，三星的5nm工艺落后于台积电的5nm工艺，预估三星的3nm工艺可能才稍微领先于台积电的5nm工艺，三星的工艺制程实际性能表现不如预期应该也是导致高通的骁龙888和骁龙8G1功耗过高的原因。
这次高通的骁龙8G1还面临一个强劲的对手，那就是联发科的天玑9000，天玑9000的处理器核心架构和骁龙8G1完全一样，都是单核X2+三核A79+四核A55，不过天玑9000由台积电以4nm工艺生产，在台积电的工艺比三星更先进的情况下，天玑9000的功耗表现估计会比骁龙8G1优秀得多。
高通连续两代高端芯片都存在功耗过高的问题，势必会对高通的品牌声誉和市场份额造成负面影响，当下联发科在全球手机芯片市场已取得接近四成份额，而高通仅有24%左右的份额，高端芯片又再度面临发热问题，高通进一步衰退应该是可以预期的结果。